半導(dǎo)體外延爐是半導(dǎo)體設(shè)備中獲得原材料外延生長的關(guān)鍵設(shè)備，使用性能直接關(guān)系到單晶硅片的品質(zhì)和生產(chǎn)效率。對(duì)設(shè)備的需求主要表現(xiàn)在溫控、總體設(shè)計(jì)、加工工藝兼容模式及自動(dòng)化程度等多個(gè)方面。

寬溫域與溫度控制：設(shè)備應(yīng)具備0-1000℃的寬調(diào)溫范疇，以滿足不同材料（如硅、氮化硅）的外延生長要求。針對(duì)氮化硅等寬禁帶半導(dǎo)體，加工工藝環(huán)境溫度需要做到1600℃之上，規(guī)定環(huán)境溫度均勻一致且精度高。

迅速調(diào)節(jié)溫水平：為提高生產(chǎn)效率，設(shè)備需適用降溫（如5分鐘內(nèi)完成），減少加工工藝周期時(shí)間。

大口徑單晶硅片兼容模式：當(dāng)代設(shè)備需適用150mm（6英尺）至300mm（12英尺）大口徑單晶硅片解決，以適應(yīng)行業(yè)向大規(guī)格變革的發(fā)展趨勢(shì)，提高片式單晶硅片的芯片產(chǎn)出率和成本效率。

高精密總體設(shè)計(jì)：關(guān)鍵構(gòu)造包含機(jī)械臂、中轉(zhuǎn)倉、石英石桶、電磁線圈隔熱層等，根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器瓷器轉(zhuǎn)動(dòng)軸及載盤同歩轉(zhuǎn)動(dòng)，保證基板均勻受熱。選用如半月型暖場(chǎng)制作等結(jié)構(gòu)合理，可提高傳動(dòng)精度、減少不合格率。

好一點(diǎn)的汽體與壓力控制系統(tǒng)：需控制反映汽體（如H2、氯硅烷、丁二烯）和夾雜源（如N2）平臺(tái)流量，及其反應(yīng)室工作壓力，并實(shí)現(xiàn)均勻薄膜沉積和摻雜濃度操縱。

自動(dòng)化技術(shù)與衛(wèi)星定位技術(shù)：集成化自動(dòng)式單晶硅片自動(dòng)上下料系統(tǒng)軟件，采用如承重盤定位設(shè)備等發(fā)明專利，降低人為因素操作誤差，提升加工工藝可重復(fù)性和合格率。

材料和暖場(chǎng)兼容模式：反映內(nèi)腔多采用高純度特種石墨、石英鐘罩等相關(guān)材料，并協(xié)助電磁感應(yīng)加熱方法，保證在高溫下、腐蝕性物質(zhì)條件下長期性高效運(yùn)行。