半導(dǎo)體外延爐常用汽體依據(jù)外延性加工工藝種類(lèi)（如液相外延性、分子束外延性等）及目標(biāo)材料的不同略有不同，但主要分載氣、反映源汽體、夾雜汽體等輔助汽體四大類(lèi)。以下屬于實(shí)際分類(lèi)及典型性汽體實(shí)例：

一、載氣（Carrier Gas）

功效：稀釋液反映源汽體、調(diào)整化學(xué)反應(yīng)速率、保持反映內(nèi)腔工作壓力平穩(wěn)。

典型性汽體：

H2（H?）：廣泛使用載氣，兼顧氧化性，能防止基板空氣氧化，同時(shí)促進(jìn)氣相反應(yīng)（如SiHCl?溶解）。

N2（N?）：可塑性載氣，用于H2敏感加工工藝（如一些化合物半導(dǎo)體外延性）。

氬氣瓶（Ar）：極高純稀有氣體，用以分子束外延性（MBE）等都需要非常高真空值工藝。

二、反映源汽體（Source Gases）

功效：給予外延生長(zhǎng)所需要的分子或分子結(jié)構(gòu)，根據(jù)化學(xué)變化或物理學(xué)堆積產(chǎn)生單晶體層。

典型性汽體：

硅基外延性：

硅烷（SiH?）：超低溫外延性常見(jiàn)，熱分解溫度低（約400℃），但安全系數(shù)要求嚴(yán)格。

三氯氫硅（SiHCl?）：持續(xù)高溫外延性（800-1200℃）流行汽體，溶解形成硅原子和氯化氫氣體（HCl）。

二氯硅烷（SiH?Cl?）：處于SiH?和SiHCl?中間，適用中等水平環(huán)境溫度加工工藝。

化合物半導(dǎo)體外延性：

砷化氫（AsH?）：用以生長(zhǎng)發(fā)育GaAs（GaAs）等Ⅲ-Ⅴ族物質(zhì)。

磷化氫（PH?）：用以磷化鎵（GaP）或磷化銦（InP）外延性。

二氧化氮（NH?）：和金屬有機(jī)化學(xué)源（如TMGa）反應(yīng)生成氮化鎵（GaN）。

合金有機(jī)化學(xué)源（MO源）：如三甲基鎵（TMGa）、三甲基鋁（TMAl），用以金屬材料有機(jī)化學(xué)干法刻蝕（MOCVD）。

三、夾雜汽體（Dopant Gases）

功效：引進(jìn)殘?jiān)肿樱芸赝庋訉拥臒釋W(xué)使用性能（如導(dǎo)電性種類(lèi)、電阻）。

典型性汽體：

n型夾雜：

磷化氫（PH?）：用以硅或化合物半導(dǎo)體中引入磷（P）殘?jiān)?/p>

砷化氫（AsH?）：用以濃度較高的n型夾雜（如GaAs外延性）。

p型夾雜：

乙硼烷（B?H?）：用以硅中引入硼（B）殘?jiān)?/p>

二甲基鋅（DMZn）：用以GaN中引入鎂（Mg）等p型殘?jiān)ㄐ杌钚越鉀Q）。

四、協(xié)助汽體（Auxiliary Gases）

功效：優(yōu)化設(shè)計(jì)方案標(biāo)準(zhǔn)（如離子注入、清理、處理等）。

典型性汽體：

氫氣（Cl?）：用以原點(diǎn)離子注入基板高溫氧化層或缺點(diǎn)。

O2（O?）：與H2混和形成水蒸汽，用以二氧化硅層生長(zhǎng)發(fā)育或清洗。

氮?dú)猓℉e）：用以MBE制造過(guò)程中制冷分子束源或檢驗(yàn)漏率。

五、汽體挑選的重要因素

加工工藝種類(lèi)：液相外延性（CVD）需持續(xù)高溫反映汽體，MBE則依靠高純分子束。

原材料管理體系：硅基、Ⅲ-Ⅴ族或Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體對(duì)汽體類(lèi)型要求不一樣。

安全系數(shù)：可燃性氣體（如SiH?、PH?）需嚴(yán)格監(jiān)管儲(chǔ)存和輸送設(shè)備。

純凈度規(guī)定：外延層品質(zhì)對(duì)汽體純凈度比較敏感，一般需達(dá)到9N（99.9999999%）之上。