提升半導體外延爐的速率可以從提升汽體化學與設備工藝、改進反應室環境和溫控、提升轉動系統和氣體壓力等方面進行，以下是簡單介紹：
1.提升汽體化學與設備工藝
引進TCS取代傳統氣動閥門：在氮化硅外延性中，TCS可讓生長速度提升到傳統式SiH?工藝技術10倍左右，與此同時明顯降低硅滴缺點，需配合H2稀釋液（典型性占比1:5~1:10）避免不良反應產生。
微波射頻低溫等離子協助CVD：激起氣體電離，減少反應活化能，硅外延性速度提高200%。
多區溫度控制系統：梯度方向加溫降低內應力，容許生長發育溫度下降50℃，提高速度。
2.改進反應室環境和溫控
汽體通道結構調整：選用圓孔板氣體分布器，使氣體根據小圓孔勻稱蔓延到反映地區，確保外延性生長期各個地方反應機理一致，避免因汽體發展不平衡所導致的晶體結構參雜和缺點。
反應室形狀內部結構勢流提升：根據計算機控制流體力學技術性，剖析氣體在反映室內流動性特點，調節反應室構造，使氣體流動性更加平穩，降低氣體渦旋和滯流地區，進而提升外延生長的均勻度，減少缺點造成概率。
反應室材料種類：采用采用特殊鍍層處理的石英石或氮化硅材料反應室，各種材料不但能承受高溫環境反映汽體侵蝕，還能夠降低雜質釋放出來，避免因為反應室原材料引進殘渣而造成外延性膜缺點。
反應室清洗預備處理：在每次用前，選用高溫烘烤、化學水處理等方式清除反映房間內殘余的雜質污染物質，確保反映環境中的純粹，為高質量外延生長發揮特長。
多區加熱技術：在反應室周邊設置多個獨立控制的加熱區，根據調整每一個加溫區域輸出功率，使反映房間內不同位置的溫度分布更加均勻。比如，在平移式反應室中，可以從反應室的前面、中檔與后端分別設置加溫區，依據環境溫度統計數據實時調整各加溫區域輸出功率，確保整個反映區域內的溫度偏差保持在很小范圍之內，避免因為溫度場所導致的晶體結構變化異常和缺點產生。
發熱元件規劃布局結構調整：選用更高效的電加熱管盤繞方式或應用新式的加熱原材料，如高純石墨加溫體等，提升傳熱效率和溫度均勻性。與此同時，在發熱元件與反應室之間設置隔熱板，降低熱量散失和導熱不均勻產生的影響，進一步提升溫控的精度。
高精密溫度感應器與控制系統：配置高性能的溫度感應器，實時檢測反映室內溫度轉變，同時將環境溫度數據信號發送給自動控制系統。采用先進環境溫度控制系統，依據溫度偏差調整加熱功率，使反應溫度能夠迅速、平穩地做到預設值，并維持在很小的波動幅度內。