半導(dǎo)體外延爐是一種用于晶圓制造的設(shè)備。它利用氣相外延技術(shù)，在單晶襯底的表面上，根據(jù)器件或電路設(shè)計(jì)所需的電阻和厚度，沿著襯底的晶體方向沉積一層新的單晶。這時(shí)，襯底晶片充當(dāng)種子晶體，而生長(zhǎng)出的單晶層則是襯底晶格的延續(xù)。因此，外延層是在經(jīng)過(guò)拋光處理的單晶表面上生長(zhǎng)的，在晶圓制造過(guò)程中，外延層實(shí)際上是單晶襯底的延續(xù)。
半導(dǎo)體外延爐技術(shù)能夠解決高頻功率器件在擊穿電壓和集電極串聯(lián)電阻之間的矛盾。摻雜較少的外延層確保了較高的擊穿電壓，而高摻雜的襯底則降低了集電極的串聯(lián)電阻。外延爐和化學(xué)氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition）設(shè)備屬于不同的模塊。CVD是指在特定條件下，氣態(tài)反應(yīng)物通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在基片表面沉積形成固態(tài)薄膜的方法。用于鍍膜的設(shè)備被稱(chēng)為薄膜沉積設(shè)備，依據(jù)不同的反應(yīng)條件（如壓強(qiáng)和前驅(qū)體）的不同又可分為APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD、ALD等類(lèi)型。